窒化ガリウムデバイス市場シェア、競合状況（2025～2027年）

Fortune Business Insightsによると、世界の窒化ガリウムデバイス市場は 2019年に205億6,000万米ドルと評価され、2020年の211億8,000万米ドルから2032年には397億4,000万米ドルに成長すると予測されており、2020年から2032年までの年平均成長率（CAGR）は5.20％となっています。2019年には、早期導入と堅牢な半導体インフラに牽引され、北米が35.89％の圧倒的なシェアで市場をリードしました。

高性能でエネルギー効率の高い半導体ソリューションへの需要の高まりを背景に、窒化ガリウムデバイス市場は大幅な成長を遂げています。GaNテクノロジーは、高い電力密度、優れた熱効率、高速スイッチング速度など、様々な利点を備えており、5Gネットワーク、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、航空宇宙電子機器といった新興アプリケーションに最適です。

GaNは、パワーエレクトロニクスと無線周波数（RF）デバイスの両方で広く採用されており、市場の拡大を加速させています。GaN-on-Si（GaN-on-Si）製造技術と高度なパッケージング技術におけるイノベーションは、生産コストの削減と、様々な業界でのGaNの普及拡大に貢献しています。さらに、エネルギー効率の向上を促進する政府の支援策や、民生用電子機器におけるGaNの統合拡大も、市場の成長を後押ししています。

窒化ガリウムデバイス市場のすべての主要な主要プレーヤーのリスト：

Cree, Inc.（米国）
インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）
エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション（米国）
エピスターコーポレーション（台湾）
GaNシステムズ（カナダ）
MACOM（米国）
マイクロセミ（米国）
三菱電機株式会社（日本）
日亜化学工業株式会社（日本）
ノースロップ・グラマン・コーポレーション（米国）
NXPセミコンダクターズ（オランダ）
Qorvo, Inc.（米国）
テキサス・インスツルメンツ社（米国）
東芝株式会社（日本）

情報源:

https://www.fortunebusinessinsights.com/gallium-nitride-gan-devices-market-103367

ドライバーと拘束具-

成長を加速させる通信領域の拡大

通信分野の拡大に伴い、エネルギー効率の高いGaNデバイスの需要が急増しています。現在、多くのインターネットサービスプロバイダーは、光ケーブルによる低遅延、ユビキタス接続、そして大容量ネットワークの提供に注力しています。さらに、5GインフラにおけるGaNデバイスの利用増加は、近い将来、窒化ガリウムデバイス市場の成長を牽引する可能性が高いと考えられます。しかしながら、窒化ガリウムデバイスの維持・開発にかかるコストの高さが、成長を阻害する可能性もあります。

セグメンテーション：

レーザー用途の増加により光半導体デバイス分野が急成長

デバイスの種類別では、光半導体デバイス分野が2019年に窒化ガリウム市場シェアで最大のシェアを獲得しました。この成長は、光検出・測距（LiDAR）やパルスレーザーといった様々な航空宇宙用途における窒化ガリウムの使用増加によるものです。さらに、光エレクトロニクス、LED、レーザー、フォトダイオード、太陽電池にも使用されています。

地域別洞察-

ワイヤレス機器の需要の高さが欧州の成長を後押し

地理的に見ると、北米はMACOM、Cree、Inc.、Northrop Grumman Corporation、Efficient Power Conversion Corporation、Microsemiなどの著名なメーカーが多数存在するため、2019年に73億8,000万米ドルの収益を生み出しました。

一方、欧州では、ドイツ、フランス、英国における無線機器の需要増加により、大幅な成長が見込まれています。アジア太平洋地域では、インドや中国などの新興国における窒化ガリウム機器の需要増加が成長を後押しするでしょう。

競争環境-

主要企業は新規契約獲得に注力し競争激化

世界の窒化ガリウムデバイス市場は、数多くの有名メーカーが存在するため、非常に細分化されています。多くのメーカーは、主要政府機関や民間企業から自社製品の供給を受けるための新規契約の獲得に注力しています。以下は、業界における最新の動向2点です。

2021年5月、レイセオン・テクノロジーズはGlobalFoundries社と提携し、5Gおよび6G RF向け窒化ガリウム（GaN）オンシリコンプロセスの開発・商用化に着手しました。このGaNプロセス技術はRF性能を向上させ、運用コストと生産コストを維持しながら、5Gおよび6G RFミリ波動作周波数規格に対応する電力と電力効率を実現します。
2021年1月、日本のパワーエレクトロニクス企業である安川電機は、カリフォルニア州に拠点を置くGaNベースの電力変換製品プロバイダーであるTransphormと提携しました。この契約に基づき、安川電機はTransphormのGaNパワーデバイスを、可変周波数ドライブやサーボモーターなどの産業用電力変換アプリケーションに使用する予定です。