Fortune Business Insightsによると、世界の 窒化ガリウムデバイス市場は 2019年に205億6,000万米ドルと評価され、2020年の211億8,000万米ドルから2032年には397億4,000万米ドルに成長し、2020年から2032年の予測期間中に5.20%の年平均成長率（CAGR）を記録すると予測されています。2019年には、北米がGaNデバイス市場を支配し、35.89%という大きなシェアを占めました。
高性能でエネルギー効率の高い半導体ソリューションへの需要の高まりを背景に、窒化ガリウムデバイス市場は力強い成長を遂げています。GaN技術は、高い電力密度、優れた熱効率、高速スイッチング能力といった優れた特性を備えています。これらの特性により、5Gインフラ、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、航空宇宙といった新興アプリケーションへの応用に非常に適しています。
パワーエレクトロニクスと無線周波数（RF）デバイスの両方におけるGaNの採用拡大が、市場拡大をさらに加速させています。GaN-on-Si（GaN-on-Si）製造技術の進歩と、先進的なパッケージングソリューションへのGaNの統合は、製造コストの削減に役立ち、様々な業界でGaNの利用可能性を高めています。さらに、エネルギー効率の高い技術を促進する政府の支援政策と、民生用電子機器におけるGaNデバイスの採用増加も、市場の継続的な成長に貢献しています。
窒化ガリウムデバイス市場のすべての主要な主要プレーヤーのリスト：
Cree, Inc.（米国）
インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）
エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション（米国）
エピスターコーポレーション（台湾）
GaNシステムズ（カナダ）
MACOM（米国）
マイクロセミ（米国）
三菱電機株式会社（日本）
日亜化学工業株式会社（日本）
ノースロップ・グラマン・コーポレーション（米国）
NXPセミコンダクターズ（オランダ）
Qorvo, Inc.（米国）
テキサス・インスツルメンツ社（米国）
東芝株式会社（日本）
情報源:
- Gallium Nitride (GaN) Device Market Size, Share, 2024-2032
- The gallium nitride (GaN) device market size was $20.56 Bn in 2019 and is projected to grow $39.74 Bn in 2032 at a CAGR of 5.20%
ドライバーと拘束具-
成長を加速させる通信領域の拡大
通信分野の拡大に伴い、エネルギー効率の高いGaNデバイスの需要が急増しています。現在、多くのインターネットサービスプロバイダーは、光ケーブルによる低遅延、ユビキタス接続、そして大容量ネットワークの提供に注力しています。さらに、5GインフラにおけるGaNデバイスの利用増加は、近い将来、窒化ガリウムデバイス市場の成長を牽引する可能性が高いと考えられます。しかしながら、窒化ガリウムデバイスの維持・開発にかかるコストの高さが、成長を阻害する可能性もあります。
セグメンテーション：
レーザー用途の増加により光半導体デバイス分野が急成長
デバイスの種類別では、光半導体デバイス分野が2019年に窒化ガリウム市場シェアで最大のシェアを獲得しました。この成長は、光検出・測距（LiDAR）やパルスレーザーといった様々な航空宇宙用途における窒化ガリウムの使用増加によるものです。さらに、光エレクトロニクス、LED、レーザー、フォトダイオード、太陽電池にも使用されています。
地域別洞察-
ワイヤレス機器の需要の高さが欧州の成長を後押し
地理的に見ると、北米はMACOM、Cree、Inc.、Northrop Grumman Corporation、Efficient Power Conversion Corporation、Microsemiなどの著名なメーカーが多数存在するため、2019年に73億8,000万米ドルの収益を生み出しました。
一方、欧州では、ドイツ、フランス、英国における無線機器の需要増加により、大幅な成長が見込まれています。アジア太平洋地域では、インドや中国などの新興国における窒化ガリウム機器の需要増加が成長を後押しするでしょう。
競争環境-
主要企業は新規契約獲得に注力し競争激化
世界の窒化ガリウムデバイス市場は、数多くの有名メーカーが存在するため、非常に細分化されています。多くのメーカーは、主要政府機関や民間企業から自社製品の供給を受けるための新規契約の獲得に注力しています。以下は、業界における最新の動向2点です。
2021年5月、レイセオン・テクノロジーズはGlobalFoundries社と提携し、5Gおよび6G RF向け窒化ガリウム（GaN）オンシリコンプロセスの開発・商用化に着手しました。このGaNプロセス技術はRF性能を向上させ、運用コストと生産コストを維持しながら、5Gおよび6G RFミリ波動作周波数規格に対応する電力と電力効率を実現します。
2021年1月、日本のパワーエレクトロニクス企業である安川電機は、カリフォルニア州に拠点を置くGaNベースの電力変換製品プロバイダーであるTransphormと提携しました。この契約に基づき、安川電機はTransphormのGaNパワーデバイスを、可変周波数ドライブやサーボモーターなどの産業用電力変換アプリケーションに使用する予定です。
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